접속이온빔 장치

집속이온빔 장치 (Dual Beam FIB System)

 

 

◦ 기기사양
제작회사 : Tescan (Chech)
모 델 명 : LYRA 3 XMH
FE-SEM Accelerating Voltage : 0.2~30 kV
SE Magnification : 2~1,000,000X
SE Resolution : 1.0 nm at 1kV
Electron Gun : Schottky Emitter
FIB Ion Source : Ga
FIB Accelerating Voltage: 1 to 30kV, Beam Resolution: 2.5 nm

◦ 기기원리
Ga Ion Beam을 이용하여 분석하고자 하는 시편의 작은 영역(sub-micron/nanometer area)을 에칭하거나 연마하여 FE-SEM으로 표면을 관찰하고 조성성분을 분석하며 표면에서 잘라낸 시편의 두께;를 100nm이하로 가공하여 TEM으로 초미세 조직내부 이미지 관찰 및 전자회절 도형 측정과 EDS를 이용하여 조성성분을 분석한다..

 

◦ 주요용도
•각종 재료물질의 SEM 관찰을 위한 표면 및 단면시편 제작 FE-SEM을 이용한 극미세 표면구조 관찰 및 성분분석 TEM 관찰을 위한 시편의 가공작업(100nm 이하두께 연마)